Поради голямото натоварване на онлайн магазина, заявки(покупки), които са постъпили в сайта през текущия ден и при налични количества на артикулите се обработват и изпращат към клиента в рамките на 3 до 6 работни дни.

Russia

N-FET,25V,Idss=(0.3-3)mA,Up=(0.3-3)V,TO-18,Russia КП303Е
Код на продукта: : КП 303 Е

N-FET,25V,Idss=(0.3-3)mA,Up=(0.3-3)V,TO-18,Russia КП303Е

N-FET,25V,Idss=(0.3-3)mA,Up=(0.3-3)V,TO-18,Russia КП303Е Модел: KП303E Тип: N-канален Напрежение на ..

4.80 лв.

Производител : Russia
N-FET,25V,Idss=(0.5-2.5)mA,Up=(0.5-3)V,TO-18,Russia КП303А
Код на продукта: : КП 303 А

N-FET,25V,Idss=(0.5-2.5)mA,Up=(0.5-3)V,TO-18,Russia КП303А

N-FET,25V,Idss=(0.5-2.5)mA,Up=(0.5-3)V,TO-18,Russia КП303А..

4.80 лв.

Производител : Russia
N-FET,25V,Idss=(0.5-2.5)mA,Up=(0.5-3)V,TO-18,Russia КП303Б
Код на продукта: : КП 303 Б

N-FET,25V,Idss=(0.5-2.5)mA,Up=(0.5-3)V,TO-18,Russia КП303Б

N-FET,25V,Idss=(0.5-2.5)mA,Up=(0.5-3)V,TO-18,Russia КП303Б 2N4392 Модел: КП303Б Тип: Si PN P-Channe..

6.00 лв.

Производител : Russia
NF-E,±22V,3.5A,,20W,(±18V/4om),14-QIP+c
Код на продукта: : К 174 УН 11

NF-E,±22V,3.5A,,20W,(±18V/4om),14-QIP+c

NF-E,±22V,3.5A,,20W,(±18V/4om),14-QIP+c..

Производител : Russia
OP-IC ,2xChannel, DIP-14 ,Russia К157УД2
Код на продукта: : К 157 УД 2

OP-IC ,2xChannel, DIP-14 ,Russia К157УД2

OP-IC ,2xChannel, DIP-14 ,Russia К157УД2DIP-14 ,Russia К157УД2Няма възможност за доставка към момент..

Производител : Russia
OP-IC ,Uni,Serie 101,±22V,14-DIP ,Russia К553УД2
Код на продукта: : К 553 УД 2

OP-IC ,Uni,Serie 101,±22V,14-DIP ,Russia К553УД2

OP-IC ,Uni,Serie 101,±22V,14-DIP ,Russia К553УД2LM 301N,1УО 101,ULY 7701NНяма възможност за доставка..

Производител : Russia
OP-IC,Vcc ± 6.3V ,,-60..+125°C ,8-DIP Russia К140УД708
Код на продукта: : К 140 УД 708

OP-IC,Vcc ± 6.3V ,,-60..+125°C ,8-DIP Russia К140УД708

OP-IC,Vcc ± 6.3V ,,-60..+125°C ,8-DIP Russia К140УД708 8-DIP Russia К140УД708..

Производител : Russia
P-FET,10V,Idss=(0.8-1.8)mA,Up=10V,38mW ,KT-1-7,TO-92 ,Russia КП103K
Код на продукта: : КП 103 К

P-FET,10V,Idss=(0.8-1.8)mA,Up=10V,38mW ,KT-1-7,TO-92 ,Russia КП103K

P-FET,10V,Idss=(0.8-1.8)mA,Up=10V,38mW ,KT-1-7,TO-92 ,Russia КП103KJFET transistor KT-1-7,TO-92 ,Rus..

Производител : Russia
P-FET,12-17V,Idss=(1.8-6.6)mA,Up=10V,TO-18,Russia КП103П/Л
Код на продукта: : КП 103 П

P-FET,12-17V,Idss=(1.8-6.6)mA,Up=10V,TO-18,Russia КП103П/Л

P-FET,12-17V,Idss=(1.8-6.6)mA,Up=10V,TO-18,Russia КП103П/Л..

4.80 лв.

Производител : Russia
Si-D ,GL,1200V,50A,500Hz,d35.5x80mm,M20x1.5/15mm,с въженце+каб.обувка ,Russia В50-12
Код на продукта: : В 50-12

Si-D ,GL,1200V,50A,500Hz,d35.5x80mm,M20x1.5/15mm,с въженце+каб.обувка ,Russia В50-12

Si-D ,GL,1200V,50A,500Hz,d35.5x80mm,M20x1.5/15mm,с въженце+каб.обувка ,Russia В50-12Russia В50-12 1..

24.00 лв.

Производител : Russia
Si-Di ,100V,10A,0.0011MHz,M8x12mm ,Russia Д242А
Код на продукта: : Д 242 А

Si-Di ,100V,10A,0.0011MHz,M8x12mm ,Russia Д242А

Si-Di ,100V,10A,0.0011MHz,M8x12mm ,Russia Д242АИзправителен диод модел Д242А, максимално обратно нап..

3.00 лв.

Производител : Russia
Si-Di, 50V,100mA,20kHz, 4uS,d3x3.2mm, Жълта Точка на Анода,Russia КД103Б
Код на продукта: : КД 103 Б

Si-Di, 50V,100mA,20kHz, 4uS,d3x3.2mm, Жълта Точка на Анода,Russia КД103Б

Si-Di, 50V,100mA,20kHz, 4uS,d3x3.2mm, Жълта Точка на Анода,Russia КД103БSi-Di, 50V,100mA,20kHz, 4uS,..

0.30 лв.

Производител : Russia
Si-Diode,200V,5A,0.0012MHz,M5
Код на продукта: : КД 202 Д

Si-Diode,200V,5A,0.0012MHz,M5

Si-Diode,200V,5A,0.0012MHz,M5..

0.72 лв.

Производител : Russia
Si-Diode,600V,5A,0.0012MHz,TO-48,M5
Код на продукта: : КД 202 Р

Si-Diode,600V,5A,0.0012MHz,TO-48,M5

Si-Diode,600V,5A,0.0012MHz,TO-48,M5..

0.84 лв.

Производител : Russia
Si-N ,35V,0.1A,0.15W,250MHz,B=50..250 ,KT-13 ,Russia КТ315Г
Код на продукта: : КТ 315 Г

Si-N ,35V,0.1A,0.15W,250MHz,B=50..250 ,KT-13 ,Russia КТ315Г

Si-N ,35V,0.1A,0.15W,250MHz,B=50..250 ,KT-13 ,Russia КТ315Г..

0.30 лв.

Производител : Russia
Показани 61 от 75 | 218 (15 Страници)