Каталожен номер: 161366
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
MOSF-N-FET,V-MOS,VHF, 175MHz, 65V, 3A,PEP=38W(28MHz),SOT-123A,4-pin Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors Transistor Polarity: N-Channel Id - Continuous Drain Current: 3 A Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Rds On - Drain-Source Resistance: 1.5 Ohms Technology: Si Minimum Operating Temperature: - 65 C Maximum Operating Temperature: + 200 C Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: SOT-123A Configuration: Single Dual Source Brand: NXP Semiconductors Channel Mode: Enhancement Pd - Power Dissipation: 38 W Factory Pack Quantity: 20 Vgs - Gate-Source Voltage: +/- 20 V Part # Aliases: BLF244,112
MOSF-N-FET,V-MOS,VHF, 175MHz, 65V, 3A,PEP=38W(28MHz),SOT-123A,4-pin
- Фабричен номер: BLF 244
- Производител Philips
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
84.00 лв.