Каталожен номер: 148772
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
N-channel enhan.mode,HEXFET MOS-FET,300V,117A,<30mom,430W,TO-247, IR Product Category: MOSFET Manufacturer: Infineon RoHS: RoHS Compliant Details Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package/Case: TO-247-3 Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V Id - Continuous Drain Current: 60 A Rds On - Drain-Source Resistance: 35.7 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 160 nC Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 175 C Packaging: Tube Channel Mode: Enhancement Brand: Infineon / IR Configuration: Single Height: 20.7 mm Length: 15.87 mm Pd - Power Dissipation: 430 W Factory Pack Quantity: 25 Transistor Type: 1 N-Channel Type: PDP Switch
N-channel enhan.mode,HEXFET MOS-FET,300V,117A,<30mom,430W,TO-247, IR
- Фабричен номер: IRFP 4232
- Производител IR
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
19.20 лв.
Свързани продукти
Фабричен номер: : FQA 62N25 C
MOSFET-N,250V,62A,298W,<0.035om(31A),TO-247, FQA62N25C Fairchild
MOSFET-N,250V,62A,298W,..
16.80 лв.
Фабричен номер: : IXTK 62N25
N-channel enhan.mode,MegaMOS-FET,250V,62A,<35mom,390W,TO-264,Ixys
N-channel enhan.mode,MegaMOS-FET,250V,62A,..
24.00 лв.