Каталожен номер: 22601
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
N-MOS-FET,HEXFET,60V,85A,180W,<12mom(43A),D2-Pak/TO-263,IR,code: F1010NS Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Тип транзистор HEXFET
Напрежение дрейн - сорс 55V
Ток на дрейна 84A
Мощност 180W
Кутия D2PAK
Напрежение гейт-сорс 20V
Съпротивление във включено състояние 11mΩ
Термично съпротивление преход-кутия 0.85K/W
Монтаж SMD
Заряд на гейта 80nС
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Тип транзистор HEXFET
Напрежение дрейн - сорс 55V
Ток на дрейна 84A
Мощност 180W
Кутия D2PAK
Напрежение гейт-сорс 20V
Съпротивление във включено състояние 11mΩ
Термично съпротивление преход-кутия 0.85K/W
Монтаж SMD
Заряд на гейта 80nС
N-MOS-FET,HEXFET,60V,85A,180W,<12mom(43A),D2-Pak/TO-263,IR,code: F1010NS Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF
- Фабричен номер: IRF 1010 NS
- Производител IR
- Наличност: На склад
-
2.21€ / 4.32 лв.