Каталожен номер: 163086
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
Power MOS-N-FET,LogL,100V,63A,140W,<14mOm(22A),TO-252,D2Pak,smd,IR,LR3110Z
INFINEON (IRF) IRLR3110ZPBF HEXFET Transistor, N-Channel, 63 A, 100 V, 14 mohm, 140W
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 100V
Ток на дрейна 63A
Мощност 140W
Кутия DPAK
Напрежение гейт-сорс ±16V
Съпротивление във включено състояние 14mΩ
Монтаж SMD
Заряд на гейта 34nС
Свойства на полупроводниковите елементи logic level
INFINEON (IRF) IRLR3110ZPBF HEXFET Transistor, N-Channel, 63 A, 100 V, 14 mohm, 140W
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 100V
Ток на дрейна 63A
Мощност 140W
Кутия DPAK
Напрежение гейт-сорс ±16V
Съпротивление във включено състояние 14mΩ
Монтаж SMD
Заряд на гейта 34nС
Свойства на полупроводниковите елементи logic level
Power MOS-N-FET,LogL,100V,63A,140W,<14mOm(22A),TO-252,D2Pak,smd,IR,LR3110Z
- Фабричен номер: IRLR 3110 Z
- Производител IR
- Наличност: На склад
-
3.60 лв.
Свързани продукти
Фабричен номер: : PA 110 BDA
MOS-N-FET-e*,100V,15A,50W,0.105mOhm,TO-220F,PA110BDA Nikos Semiconductors
MOS-N-FET-e*,100V,15A,50W,0.105mOhm,TO-220F,PA110BDA Nikos Semiconductors PA110BDA Nikos Semicondu..
4.20 лв.