Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
-
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010EPBF - Транзистор: униполарен, N-MOSFET; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 60V
Ток на дрейна 81A
Разсейвана мощност 170W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 12mΩ
Монтаж THT
Заряд на гейта 86,6nС
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване
V-MOS-N-FET,60V,81A,170W,<12mom(43A),TO-220,IR IRF1010E Infineon Technologies
- Фабричен номер: IRF 1010 E
- Производител IR
- Наличност: На склад
-
3.00 лв.
Свързани продукти
MOS-N-FET,LogL,55V,89A,170W,<0.10om(46A),TO-220,IRL3705N IR Infineon Technologies
MOS-N-FET,LogL,55V,89A,170W,..
4.80 лв.
Trench MOS-N-FET,Log-L,125A,55V,253W,0.08om,TO-220AB , NXP BUK9508/55A
Trench MOS-N-FET,Log-L,125A,55V,253W,0.08om,TO-220AB , NXP BUK9508/55A..
6.00 лв.
MOS-N-FET,,LogL,55V,104A,200W,<8mom(54A),TO-220,IR IRL2505 Infineon Technologies
MOS-N-FET,,LogL,55V,104A,200W,..
4.80 лв.
Trench N-MOS-FET ,Log-L,75A,55V,187W, 0.08om, TO-220AB ,NXP Semiconductors BUK9508-55
Trench N-MOS-FET ,Log-L,75A,55V,187W, 0.08om, TO-220AB ,NXP Semiconductors BUK9508-55TO-220AB ,NXP S..
6.00 лв.