Каталожен номер: 22600
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
-
V-MOS-N-FET,60V,81A,170W,<12mom(43A),TO-220,IR IRF1010E Infineon Technologies
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010EPBF - Транзистор: униполарен, N-MOSFET; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 60V
Ток на дрейна 81A
Разсейвана мощност 170W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 12mΩ
Монтаж THT
Заряд на гейта 86,6nС
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010EPBF - Транзистор: униполарен, N-MOSFET; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 60V
Ток на дрейна 81A
Разсейвана мощност 170W
Кутия TO220AB
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 12mΩ
Монтаж THT
Заряд на гейта 86,6nС
Вид опаковане туба
Вид на канала обoгатяване
V-MOS-N-FET,60V,81A,170W,<12mom(43A),TO-220,IR IRF1010E Infineon Technologies
- Фабричен номер: IRF 1010 E
- Производител IR
- Наличност: На склад
-
1.54€ / 3.01 лв.