Каталожен номер: 22671
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
V-MOS-N-FET,600V,2A,42W,<4.4om(1.2A),TO-252/SMD,code:FRC20,Vishay IRFRC20PBF MOSFET, N, 600V, 2A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Di Производител VISHAY Тип транзистор N-MOSFET Поляризация униполарен Напрежение дрейн - сорс 600V Ток на дрейна 1.3A Разсейвана мощност 42W Кутия DPAK Напрежение гейт-сорс ±20V Съпротивление във включено състояние 4.4Ω Монтаж SMD Заряд на гейта 18nС Вид опаковане туба Вид на канала обoгатяване
V-MOS-N-FET,600V,2A,42W,<4.4om(1.2A),TO-252/SMD,code:FRC20,Vishay IRFRC20PBF
- Фабричен номер: IRFRC 20
- Производител Vishay
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
3.00 лв.
Свързани продукти
Фабричен номер: : 2SK 3050
N-MOS-FET,600V,2A,20W,<4.4om(1A),SOT-89(SC-63),2SK305,code:K3050 Rohm
N-MOS-FET,600V,2A,20W,..
3.00 лв.
Фабричен номер: : IRFUC 20
V-MOS,600V,2A,42W,<4.4om(1.2A),TO-252/SMD,D-Pak
V-MOS,600V,2A,42W,..
10.50 лв.
Фабричен номер: : 2SK 2865
MOS-N-FET-e*,V-MOS,600V,2A,20W,<0.5om(1A),TO-252
MOS-N-FET-e*,V-MOS,600V,2A,20W,..
10.80 лв.