Поради голямото натоварване на онлайн магазина, заявки(покупки), които са постъпили в сайта през текущия ден и при налични количества на артикулите се обработват и изпращат към клиента в рамките на 3 до 6 работни дни.

  • Вашата количка е празна!

Каталожен номер: 22857
  • IGBT-N chan,600V,22A(25°C),104-156W,Tf=32nS,-40°C...+175°C,TO-220AB,IR/ Infineon Technologies IRGB10B60KD

  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

IGBT-N chan,600V,22A(25°C),104-156W,Tf=32nS,-40°C...+175°C,TO-220AB,IR/ Infineon Technologies IRGB10B60KD
TO-220AB,IR/ Infineon Technologies IRGB10B60KD IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz
Manufacturer: Infineon
Product Category: IGBT Transistors
RoHS: Details
Technology: Si
Package/Case: TO-220-3
Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 35 A
Pd - Power Dissipation: 156 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Packaging: Tube
Continuous Collector Current Ic Max: 35 A
Height: 8.77 mm
Length: 10.54 mm
Width: 4.69 mm
Brand: Infineon Technologies
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Part # Aliases: SP001542270
Unit Weight: 6 g

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

IGBT-N chan,600V,22A(25°C),104-156W,Tf=32nS,-40°C...+175°C,TO-220AB,IR/ Infineon Technologies IRGB10B60KD

  • Фабричен номер: IRGB 10B60 KD
  • Производител IR
  • Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.

  • 16.20 лв.


0 отзива / Напишете отзив