• Вашата количка е празна!

Каталожен номер: 66910
  • IGBT-N chan + Di,330V,50A(25°C)120W,Tf=150nS,TO-247S,Renesas

  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

IGBT-N chan + Di,330V,50A(25°C)120W,Tf=150nS,TO-247S,Renesas from Samsung BN96-06519A Y-Main Board Component Repair Kit

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

IGBT-N chan + Di,330V,50A(25°C)120W,Tf=150nS,TO-247S,Renesas

  • Фабричен номер: RJH 3047
  • Производител Renesas
  • Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.

  • 12.00 лв.


0 отзива / Напишете отзив

Свързани продукти

L,600V,55A(25°C),200W,52/258ns,8...40kHz,TO-247AC,IR,G4PC50U
Фабричен номер: : IRG 4PC50 U

L,600V,55A(25°C),200W,52/258ns,8...40kHz,TO-247AC,IR,G4PC50U

L,600V,55A(25°C),200W,52/258ns,8...40kHz,TO-247AC,IR,G4PC50U..

11.40 лв.

IGBT-N-ch MOSFET+Di,330V,50A,120W,0.15uS,TO-247SF,Renesas
Фабричен номер: : RJH 3047 DPK

IGBT-N-ch MOSFET+Di,330V,50A,120W,0.15uS,TO-247SF,Renesas

IGBT-N-ch MOSFET+Di,330V,50A,120W,0.15uS,TO-247SF,Renesas..