Каталожен номер: 66901
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
MOS-P-FET,SMD,V-MOS,30V,±8A,2.5W,<35mom(8A),8-MDIP/SOP ,IR SI 4435 DYPBF
Continuous Drain Current Id: 8A
Drain Source Voltage Vds: 30V
MSL: MSL 1 - Unlimited
No. of Pins: 8
On Resistance Rds(on): 0.015ohm
Operating Temperature Max: 150°C
Power Dissipation Pd: 2.5W
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Threshold Voltage Vgs: -1V
Transistor Case Style: SOIC
Transistor Polarity: P Channel
MOS-P-FET,SMD,V-MOS,30V,±8A,2.5W,<35mom(8A),8-MDIP/SOP ,IR SI 4435 DYPBF
- Фабричен номер: SI 4435 DYPBF
- Производител IR
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
5.00 лв.