Каталожен номер: 22881
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
MOS-P-FET,V-MOS,200V,8A,125W,<1.7om,TO-3 Housing Type: TO-3 Manufacturer: HIT Polarity: p-channel Connection type: Push-through installation Max. Working Voltage: 200 V Capacity: 125 W
MOS-P-FET,V-MOS,200V,8A,125W,<1.7om,TO-3
- Фабричен номер: 2SJ 56
- Производител Hitachi
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
42.00 лв.
Свързани продукти
Фабричен номер: : 2SJ 50
V-MOS-L,160V,7A,100W,25/24ns,TO-3
V-MOS-L,160V,7A,100W,25/24ns,TO-3..
55.00 лв.
Фабричен номер: : BUZ 905
FET-N ,V-MOS-L,160V,8A,125W,110/150ns,TO-3 ,Magnatec/Semelab BUZ905
FET-N ,V-MOS-L,160V,8A,125W,110/150ns,TO-3 ,Magnatec/Semelab BUZ905Field Effect Transistor TO-3 ,Ma..
30.00 лв.