Поради голямото натоварване на онлайн магазина, заявки(покупки), които са постъпили в сайта през текущия ден и при налични количества на артикулите се обработват и изпращат към клиента в рамките на 3 до 6 работни дни.

  • Вашата количка е празна!

Каталожен номер: 153528
  • MOS-P-FET,V-MOS,NF-E,180V,10A,120W,<0.3om(6A),TO-247 ,Toshiba J200

  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

  • MOS-P-FET,V-MOS,NF-E,180V,10A,120W,<0.3om(6A),TO-247 ,Toshiba J200
  • MOS-P-FET,V-MOS,NF-E,180V,10A,120W,<0.3om(6A),TO-247 ,Toshiba J200
MOS-P-FET,V-MOS,NF-E,180V,10A,120W,<0.3om(6A),TO-247 ,Toshiba J200
Housing Type: TO-3P
Manufacturer: TOSHIBA
Polarity: p-channel
Connection type: Push-through installation
ROHS-konform: Yes
Max. Working Voltage: 180 V
Capacity: 120 W
Max. Amperage: 10 A
Max. Temperature: 150 °C

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

MOS-P-FET,V-MOS,NF-E,180V,10A,120W,<0.3om(6A),TO-247 ,Toshiba J200

  • Фабричен номер: 2SJ 200
  • Производител Toshiba
  • Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.

  • 18.00 лв.


0 отзива / Напишете отзив