Каталожен номер: 66635
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
Si-N-Darl+Di,S-L,100/100V,2A,1.2W,R1=7k,R2=230om.+int.anti.paral.CE-diode,B>500,TO-92,STM Epitaxial-Base Power Amp., 100V 2A 1.2W,SGS-THOMSON Mikroelektronik GmbH Housing Type: TO-92 Manufacturer: STMicroelectronics Polarity: NPN Connection type: Push-through installation ROHS-konform: Yes Voltage (Vcb): 100 V Voltage (Vce): 100 V Max. Working Voltage: 100 V Capacity: 1.2 W Max. Amperage: 2 A Max. Temperature: 150 °C
Si-N-Darl+Di,S-L,100/100V,2A,1.2W,R1=7k,R2=230om.+int.anti.paral.CE-diode,B>500,TO-92,STM
- Фабричен номер: STX 112
- Производител SGS
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
1.80 лв.