Поради голямото натоварване на онлайн магазина, заявки(покупки), които са постъпили в сайта през текущия ден и при налични количества на артикулите се обработват и изпращат към клиента в рамките на 3 до 6 работни дни.

  • Вашата количка е празна!

Каталожен номер: 23887
  • Si-N,S-L,300/250V,40A,250W,>8MHz,1.5us,hFE-8,TO-3,ON Semiconductor BUV22G

  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

Si-N,S-L,300/250V,40A,250W,>8MHz,1.5us,hFE-8,TO-3,ON Semiconductor BUV22G
BUR 21..22, BUV 61..62, BUX 22
Manufacturer: ON Semiconductor
Product Category: Bipolar Transistors - BJT
RoHS: Details
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-204-2
Transistor Polarity: NPN
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 250 V
Collector- Base Voltage VCBO: 300 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Maximum DC Collector Current: 40 A
Pd - Power Dissipation: 250 W
Gain Bandwidth Product fT: 8 MHz
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: BUV22
Packaging: Tray
Height: 8.51 mm
Length: 38.86 mm
Technology: Si
Width: 26.67 mm
Brand: ON Semiconductor
Continuous Collector Current: 40 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 20
Product Type: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Unit Weight: 1,600 g

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

Si-N,S-L,300/250V,40A,250W,>8MHz,1.5us,hFE-8,TO-3,ON Semiconductor BUV22G

  • Фабричен номер: BUV 22 G
  • Производител ONS
  • Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.

  • 50.40 лв.


0 отзива / Напишете отзив