Поради голямото натоварване на онлайн магазина, заявки(покупки), които са постъпили в сайта през текущия ден и при налични количества на артикулите се обработват и изпращат към клиента в рамките на 3 до 6 работни дни.
Каталожен номер: 171173
  • Si-N,Hi-Fi,NF-L, 400/250V, 16A, 200W, >4MHz,TO-247 ,ON Semiconductor MJW21196G
  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

Si-N,Hi-Fi,NF-L, 400/250V, 16A, 200W, >4MHz,TO-247 ,ON Semiconductor MJW21196G
ON Semiconductor MJW21196G Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
Manufacturer: ON Semiconductor
Product Category: Bipolar Transistors - BJT
RoHS: Details
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Transistor Polarity: NPN
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 250 V
Collector- Base Voltage VCBO: 400 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3 V
Maximum DC Collector Current: 16 A
Pd - Power Dissipation: 200 W
Gain Bandwidth Product fT: 4 MHz
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: MJW21196
Height: 21.08 mm
Length: 16.26 mm
Technology: Si
Width: 5.3 mm
Brand: ON Semiconductor
Continuous Collector Current: 16 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 20
Product Type: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Unit Weight: 6,100 g

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

Si-N,Hi-Fi,NF-L, 400/250V, 16A, 200W, >4MHz,TO-247 ,ON Semiconductor MJW21196G

  • Фабричен номер: MJW 21196 G
  • Производител ONS
  • Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
  • 15.00 лв.


Свързани продукти

Si-N,Hi-Fi,NF-L, 400/250V, 16A, 200W, >4MHz,TO-247 ON Semiconductor Inc. MJW21196
Фабричен номер: : MJW 21196

Si-N,Hi-Fi,NF-L, 400/250V, 16A, 200W, >4MHz,TO-247 ON Semiconductor Inc. MJW21196

Si-N,Hi-Fi,NF-L, 400/250V, 16A, 200W, >4MHz,TO-247 ON Semiconductor Inc. MJW21196NJW21196 TO-247 ON ..

15.00 лв.