Каталожен номер: 167625
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
-
IGBT power module 1200V,300A,Single switch 1,1550W,BSM 200 GA 120DN2 Infineon Technologies Manufacturer:Infineon Product Category:IGBT Modules RoHS: Details Product:IGBT Silicon Modules Configuration:Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1200 V Collector-Emitter Saturation Voltage:2.5 V Continuous Collector Current at 25 C:300 A Gate-Emitter Leakage Current:200 nA Pd - Power Dissipation:1550 W Package/Case:62 mm Minimum Operating Temperature:- 40 C Maximum Operating Temperature:+ 150 C Packaging:Tray Height:36.5 mm Length:106.4 mm Technology:Si Width:61.4 mm Brand:Infineon Technologies Mounting Style:Chassis Mount Maximum Gate Emitter Voltage:20 V Product Type:IGBT Modules Factory Pack Quantity:10 Subcategory:IGBTs
IGBT power module 1200V,300A,Single switch 1,1550W,BSM 200 GA 120DN2 Infineon Technologies
- Фабричен номер: BSM200GA120DN2
- Производител Siemens
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
414.00 лв. / 215.28€