Поради голямото натоварване на онлайн магазина, заявки(покупки), които са постъпили в сайта през текущия ден и при налични количества на артикулите се обработват и изпращат към клиента в рамките на 3 до 6 работни дни.
Каталожен номер: 22419
  • MOS-N-FET,Dual-Gate,UHF,20V,Idss>2mA,Up<2.7V,8GHz,X-plast Infineon
  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

  • MOS-N-FET,Dual-Gate,UHF,20V,Idss>2mA,Up<2.7V,8GHz,X-plast Infineon
MOS-N-FET,Dual-Gate,UHF,20V,Idss>2mA,Up<2.7V,8GHz,X-plast Infineon Housing Type: SOT-103 Manufacturer: Infineon / Siemens Polarity: n-channel Connection type: Push-through installation Frequency: 900 MHz Max. Working Voltage: 20 V Capacity: 0.2 W Max. Amperage: 30 mA Max. Temperature: 150 °C

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

MOS-N-FET,Dual-Gate,UHF,20V,Idss>2mA,Up<2.7V,8GHz,X-plast Infineon

  • Фабричен номер: BF 960
  • Производител Infineon
  • Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
  • 1.80 лв.


Свързани продукти

MOS-N-FET,Dual-Gate,UHF,20V,Idss>2mA,Up<2.5V,X-plast Philips
Фабричен номер: : BF 966

MOS-N-FET,Dual-Gate,UHF,20V,Idss>2mA,Up<2.5V,X-plast Philips

MOS-N-FET,Dual-Gate,UHF,20V,Idss>2mA,Up..