Каталожен номер: 164595
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
MOS-FET,N-ch.,600V,30A,164W,<0.06om(14A),67nS,TO-263/D2Pak,Infineon IPB60R060P7ATMA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Производител INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистор N-MOSFET
Технология CoolMOS™ P7
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 600V
Ток на дрейна 30A
Разсейвана мощност 164W
Кутия D2PAK
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 60mΩ
Монтаж SMD
Заряд на гейта 67nС
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Производител INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистор N-MOSFET
Технология CoolMOS™ P7
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 600V
Ток на дрейна 30A
Разсейвана мощност 164W
Кутия D2PAK
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 60mΩ
Монтаж SMD
Заряд на гейта 67nС
MOS-FET,N-ch.,600V,30A,164W,<0.06om(14A),67nS,TO-263/D2Pak,Infineon IPB60R060P7ATMA1
- Фабричен номер: IPB 60R060 P
- Производител Infineon
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
26.40 лв. / 13.73€