Каталожен номер: 22638
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
MOS-N-FET,150V,60A,320W,<0.032om(35A),60nS,TO-220,IRFB52N15DPBF Infineon (IRF),code:FB52N15D IInfineon (IRF) IRFB59N10DPBF MOSFET,N TO-220 100V 59A Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package/Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V Id - Continuous Drain Current: 60 A Rds On - Drain-Source Resistance: 32 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V Qg - Gate Charge: 60 nC Pd - Power Dissipation: 320 W Configuration: Single Height: 15.65 mm Length: 10 mm Transistor Type: 1 N-Channel Width: 4.4 mm Brand: Infineon / IR Product Type: MOSFET Subcategory: MOSFETs Unit Weight: 2 g
MOS-N-FET,150V,60A,320W,<0.032om(35A),60nS,TO-220,IRFB52N15DPBF Infineon (IRF),code:FB52N15D
- Фабричен номер: IRFB 52N15 D
- Производител Infineon
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
9.60 лв.
Свързани продукти
Фабричен номер: : IRFB 59N10 D
MOS-N-FET,100V,59A,200W,<0.025om(32A),75nS,TO-220,IRFB59N10DPBF Infineon (IRF)
MOS-N-FET,100V,59A,200W,..
9.60 лв.