Каталожен номер: 178017
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
MOS-N-FET,80V,100A,306W,<0.0045om(20A),18/66nS,TO-220 ,Nexperia PSMN4R4-80PS,127
Manufacturer NEXPERIA
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 80V
Drain current 100A
Pulsed drain current 680A
Power dissipation 306W
Case SOT78, TO220AB
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 4.1mΩ
Mounting THT
Gate charge 112nC
Manufacturer NEXPERIA
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 80V
Drain current 100A
Pulsed drain current 680A
Power dissipation 306W
Case SOT78, TO220AB
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 4.1mΩ
Mounting THT
Gate charge 112nC
MOS-N-FET,80V,100A,306W,<0.0045om(20A),18/66nS,TO-220 ,Nexperia PSMN4R4-80PS,127
- Фабричен номер: PSMN 4R4-80PS
- Производител Nexperia
- Наличност: На склад
-
8.00 лв.