Каталожен номер: 149665
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
MOS-N-FET-enhanced,100V,11A,0.12om,34.7W(25°C), TO-252 ,code: 9997GH ,Advanced Power Electronic AP9997GH
AP9997GH Transistor FET-Silicon;AP9997GH-HF,N,100V,11A,0.12O,0505-002687 Samsung ,TO-252 ,code: 9997GH Advanced Power Electronic AP9997GH
AP9997GH Transistor FET-Silicon;AP9997GH-HF,N,100V,11A,0.12O,0505-002687 Samsung ,TO-252 ,code: 9997GH Advanced Power Electronic AP9997GH
MOS-N-FET-enhanced,100V,11A,0.12om,34.7W(25°C), TO-252 ,code: 9997GH ,Advanced Power Electronic AP9997GH
- Фабричен номер: AP 9997 GH
- Производител APE
- Наличност: На склад
-
1.25€ / 2.44 лв.