Поради голямото натоварване на онлайн магазина, заявки(покупки), които са постъпили в сайта през текущия ден и при налични количества на артикулите се обработват и изпращат към клиента в рамките на 3 до 6 работни дни.

  • Вашата количка е празна!

Каталожен номер: 159733
  • N-channel ,Power MOSFET,100V/60A,<0.18mom,176W,TO-220,Ixys

  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

N-channel ,Power MOSFET,100V/60A,<0.18mom,176W,TO-220,Ixys
Product Category: MOSFET
Manufacturer: IXYS
RoHS: RoHS Compliant Details
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Id - Continuous Drain Current: 60 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 18 mOhms
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Packaging: Tube
Channel Mode: Enhancement
Brand: IXYS
Configuration: Single
Fall Time: 37 ns
Forward Transconductance - Min: 42 S
Height: 9.15 mm
Length: 10.66 mm
Pd - Power Dissipation: 176 W
Rise Time: 40 ns
Series: IXTP60N10
Factory Pack Quantity: 50
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 43 ns
Typical Turn-On Delay Time: 27 ns

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

N-channel ,Power MOSFET,100V/60A,<0.18mom,176W,TO-220,Ixys

  • Фабричен номер: IXTP 60N10 T
  • Производител Ixys
  • Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.

  • 6.00 лв.


0 отзива / Напишете отзив

Свързани продукти

MOS-N-FET,100V,51A,150W,<25mom(28A),67nS,TO-220,IR IRF3710 Infineon / IR
Фабричен номер: : IRF 3710

MOS-N-FET,100V,51A,150W,<25mom(28A),67nS,TO-220,IR IRF3710 Infineon / IR

MOS-N-FET,100V,51A,150W,..

3.30 лв.