• Вашата количка е празна!

Каталожен номер: 177125
  • N-MOS-FET-enhan.,30V,150A, 1.3-2.0mom,65W(25°C),PDFN-5x6-8L(smd),code: G013N03 ,Huayi Microelectronics HYG013N03LS1C2

  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

  • N-MOS-FET-enhan.,30V,150A, 1.3-2.0mom,65W(25°C),PDFN-5x6-8L(smd),code: G013N03 ,Huayi Microelectronics HYG013N03LS1C2
  • N-MOS-FET-enhan.,30V,150A, 1.3-2.0mom,65W(25°C),PDFN-5x6-8L(smd),code: G013N03 ,Huayi Microelectronics HYG013N03LS1C2
N-MOS-FET-enhan.,30V,150A, 1.3-2.0mom,65W(25°C),PDFN-5x6-8L(smd),code: G013N03 ,Huayi Microelectronics HYG013N03LS1C2
Mos Fet Transistor HYG013N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

N-MOS-FET-enhan.,30V,150A, 1.3-2.0mom,65W(25°C),PDFN-5x6-8L(smd),code: G013N03 ,Huayi Microelectronics HYG013N03LS1C2

  • Фабричен номер: HYG 013N03 LS1C2
  • Производител Huayi
  • Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.

  • 5.00 лв. / 2.60€


0 отзива / Напишете отзив