• Вашата количка е празна!

Каталожен номер: 22601
  • N-MOS-FET,HEXFET,60V,85A,180W,<12mom(43A),D2-Pak/TO-263,IR,code: F1010NS Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF

  • Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
    Това обаче не променя техните основни свойства.

  • N-MOS-FET,HEXFET,60V,85A,180W,<12mom(43A),D2-Pak/TO-263,IR,code: F1010NS Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF
N-MOS-FET,HEXFET,60V,85A,180W,<12mom(43A),D2-Pak/TO-263,IR,code: F1010NS Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Поляризация униполарен
Тип транзистор HEXFET
Напрежение дрейн - сорс 55V
Ток на дрейна 84A
Мощност 180W
Кутия D2PAK
Напрежение гейт-сорс 20V
Съпротивление във включено състояние 11mΩ
Термично съпротивление преход-кутия 0.85K/W
Монтаж SMD
Заряд на гейта 80nС

Напишете отзив

Моля влезете в профила или се регистрирайте, за да напишете отзив.

N-MOS-FET,HEXFET,60V,85A,180W,<12mom(43A),D2-Pak/TO-263,IR,code: F1010NS Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF

  • Фабричен номер: IRF 1010 NS
  • Производител IR
  • Наличност: На склад

  • 4.32 лв.


0 отзива / Напишете отзив

Свързани продукти

MOS-N-FET,LogL,55V,89A,170W,<0.10om(46A),D-2Pak
Фабричен номер: : IRL 3705 NS

MOS-N-FET,LogL,55V,89A,170W,<0.10om(46A),D-2Pak

MOS-N-FET,LogL,55V,89A,170W,..

4.98 лв.

N-MOS-FET,50V,50A,110W,<12mom(43A),D2-Pak/TO-263, Harris Semiconductor R4363
Фабричен номер: : R 4363

N-MOS-FET,50V,50A,110W,<12mom(43A),D2-Pak/TO-263, Harris Semiconductor R4363

N-MOS-FET,50V,50A,110W,..

6.00 лв.

V-MOS-N-FET,LogL,55V,104A,200W,<8mom(54A),D2-Pak ,IR,code: L2505S
Фабричен номер: : IRL 2505 S

V-MOS-N-FET,LogL,55V,104A,200W,<8mom(54A),D2-Pak ,IR,code: L2505S

V-MOS-N-FET,LogL,55V,104A,200W,..

3.60 лв.