Каталожен номер: 22830
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.-
IGBT-N-ch MOS-FET,1000V,60A,170W,0.25Us,TO-264, Toshiba GT60N321
Transistors GT60N321 IGBT Module High speed 1000V 60A 170W TO3PLH
Housing Type: TO-247
Manufacturer: TOSHIBA
Polarity: n-channel
Connection type: Push-through installation
ROHS-konform: Yes
Max. Working Voltage: 1 kV
Capacity: 170 W
Max. Amperage: 60 A
Max. Temperature: 150 °C
Transistors GT60N321 IGBT Module High speed 1000V 60A 170W TO3PLH
Housing Type: TO-247
Manufacturer: TOSHIBA
Polarity: n-channel
Connection type: Push-through installation
ROHS-konform: Yes
Max. Working Voltage: 1 kV
Capacity: 170 W
Max. Amperage: 60 A
Max. Temperature: 150 °C
IGBT-N-ch MOS-FET,1000V,60A,170W,0.25Us,TO-264, Toshiba GT60N321
- Фабричен номер: GT 60N321
- Производител Toshiba
- Наличност: На склад
-
12.00€ / 23.47 лв.