Каталожен номер: 22889 
                     
            
              
            
            
        
                                 
- Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета. 
 Това обаче не променя техните основни свойства.
Hexfet-MOSFET,P-ch.,55V,11A,38W,<0.175om(6.6A),TO-251/I-Pak,IRFU9024NPBF Product Category: MOSFET  Manufacturer: Infineon  RoHS: RoHS Compliant Details  Technology: Si  Mounting Style: Through Hole  Package/Case: TO-251-3  Number of Channels: 1 Channel  Transistor Polarity: P-Channel  Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 55 V  Id - Continuous Drain Current: - 11 A  Rds On - Drain-Source Resistance: 175 mOhms  Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V  Qg - Gate Charge: 12.7 nC  Packaging: Tube  Brand: Infineon Technologies  Height: 6.22 mm  Length: 6.73 mm  Pd - Power Dissipation: 38 W  Factory Pack Quantity: 1500  Transistor Type: 1 P-Channel
                                    Hexfet-MOSFET,P-ch.,55V,11A,38W,<0.175om(6.6A),TO-251/I-Pak,IRFU9024NPBF
- Фабричен номер: FU 9024 N
- Производител Infineon
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
- 
              3.30 лв. / 1.72€
Свързани продукти
Фабричен номер: : 2SJ 598
                V-MOS-P-Channel,,LogL,60V,±12A,23W,<0.19om(6A),TO-251
V-MOS-P-Channel,,LogL,60V,±12A,23W,..
4.00 лв. / 2.08€
Фабричен номер: : IRFU 9024 N
                Hexfet-MOSFET,P-ch.,55V,11A,38W,<0.175om(6.6A),TO-251/I-Pak
Hexfet-MOSFET,P-ch.,55V,11A,38W,..
2.00 лв. / 1.04€


