Каталожен номер: 161248
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
Si-N,NF-E-L, 80V, 1A, 10W, 100MHz,TO-252(SC-63,SOT-428),B1181,2SB1181TLR Manufacturer: ROHM Semiconductor Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: CPT-3 Transistor Polarity: PNP Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: - 80 V Collector- Base Voltage VCBO: - 80 V Emitter- Base Voltage VEBO: - 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage: - 0.4 V Maximum DC Collector Current: - 1 A Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz Maximum Operating Temperature: + 150 C Series: 2SB1181 DC Current Gain hFE Max: 390 Height: 2.3 mm Length: 6.5 mm Width: 5.5 mm Brand: ROHM Semiconductor Continuous Collector Current: - 1 A DC Collector/Base Gain hFE Min: 120 Pd - Power Dissipation: 10 W
Si-N,NF-E-L, 80V, 1A, 10W, 100MHz,TO-252(SC-63,SOT-428),B1181,2SB1181TLR
- Фабричен номер: 2SB 1181
- Производител Rohm
- Само с доставка от 3 до 15 раб. дни в стандартните случаи.
-
3.00 лв.