Каталожен номер: 22786
Снимките на продуктите са с илюстративно предназначение и могат да се различават от действителния изглед на предмета.
Това обаче не променя техните основни свойства.
Power MOS-N-FET,LogL,55V,30A,Idm-160A,110W,<27mOm(22A),TO-252,smd,IR,LR2905
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 55V
Ток на дрейна 30A
Ток на дрейна при импулс 160A
Разсейвана мощност 110W
Кутия DPAK
Напрежение гейт-сорс ±16V
Съпротивление във включено състояние 27mΩ
Монтаж SMD
Заряд на гейта 48nС
Вид опаковане ролка
Свойства на полупроводниковите елементи logic level
Производител Infineon (IRF)
Тип транзистор N-MOSFET
Технология HEXFET®
Поляризация униполарен
Напрежение дрейн - сорс 55V
Ток на дрейна 30A
Ток на дрейна при импулс 160A
Разсейвана мощност 110W
Кутия DPAK
Напрежение гейт-сорс ±16V
Съпротивление във включено състояние 27mΩ
Монтаж SMD
Заряд на гейта 48nС
Вид опаковане ролка
Свойства на полупроводниковите елементи logic level
Power MOS-N-FET,LogL,55V,30A,Idm-160A,110W,<27mOm(22A),TO-252,smd,IR,LR2905
- Фабричен номер: IRLR 2905
- Производител IR
- Наличност: На склад
-
2.50 лв.